| 型号： | DMG1029SV-7 | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | Diodes Inc | 描述： | MOSFET N/P-CH 60V 480/320 SOT563 |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 阵列 |
| DMG1029SV-7 PDF |  |
| 产品变化通告 | Bond Wire Change 11/Nov/2011 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 系列 | - |
| FET 型 | N 和 P 沟道 |
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 480mA，320mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 1.7 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | - |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 50pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 660mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装 | SOT-563 |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | DMG1029SV-7DITR |